<label id="yooyy"></label>
          加入收藏 設為首頁 繁體中文 前, 要設定延遲翻譯時間, 如100表示100ms,默認為0 var cookieDomain = "http://your-site/"; //Cookie地址, 一定要設定, 通常為你的網址 var msgToTraditionalChinese = "繁體中文"; //默認切換為繁體時顯示的中文字符 var msgToSimplifiedChinese = "簡體中文"; //默認切換為簡體時顯示的中文字符 var translateButtonId = "translateLink"; //默認互換id translateInitilization(); English
         
        首頁 >> 新聞中心 >> 查看新聞
        全球第三代半導體材料研發部署重點及方向分析
        點擊:1947 日期:2008/11/18 15:08:12

            在首屆第三代半導體材料及應用發展國際研討會上,Transphorm公司的技術營銷高級經理黃贊先生對第三代半導體材料各國研發部署重點及方向進行了主題報告,系統闡述了美國、日本等國的第三代半導體材料研發相關項目、進展及發展趨勢等問題。

          GaN的發展過程與功率密度息息相關。從1970年到2000年,每經過10年左右電源的大小就會減小到原來的1/40,功率密度按照指數級增長。但在2000年以后,以硅為原料的器件已經發展到了其極限點。為了進一步的發展,則必然要采用新型的材料,即氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。

          1993年起GaN正式進入LED市場,獲得了很大的成功。在其功率密度又提升了10倍之后,GaN進入微波器件市場,為無線通訊領域帶來了一次變革。在過去的幾年中,其功率密度再次得到長足的進步,GaN進入功率器件市場??傮w而言,GaN應用的發展趨勢為功率密度不斷提升,可靠性不斷提升,成本不斷下降。

          根據美國能源部對其LED市場所做出的總結,從2010年到2012年,LED的光電效率增長了50%,而2010年至2011年,光電成本下降了70%。由于效率的提升和成本的下降,LED進入通用照明領域,在美國的市面上可以很方便地買到LED燈,人們在家庭中使用LED成為新的趨勢。

          美國與第三代半導體的研究與發展相關的項目主要包括:美國的EERE(Energy Efficient & Renewable Energy)項目,其重點在于降低成本。已完成的項目包括:Veeco公司通過多反應系統提升LED器件產量項目,KLA-Tencor公司通過監察系統提升LED產量及減小資源浪費項目,Ultratech公司通過調整光刻工具以降低高亮度LED生產成本項目等。2013年EERE新啟動的LED和OLED項目包括:Cree公司低成本、高效率LED可伸縮燈具,Eaton公司低成本、高能效半導體整合式燈具生產制造,Philips Lumileds照明公司藍寶石基底InGaN/GaN LED的研發與工業化,OLEDWorks公司OLED照明創新型低成本、高效能生產與處理技術,PPG Industries公司OLED集成基底生產工藝等。

          DARPA(Defense Advanced Research Projects Agency)2009年推出NEXT(Nitride Electronic Next-Generation Technology)項目,目的在于進行氮化物開關的研究,開發方向是高壓、高速度、高電流。項目內容具體包括:將電力開關器件提升至200V阻塞電壓、電阻降至1 ohm-m、轉換速度達到500V/nsec;通過NJTT(Near Junction Thermal Transport)技術將GaN在SiC基底生長的工藝與鉆石基底相結合,以產生新的熱處理流程;通過生產4寸SiC基底GaN晶片實現28V

         
        CopyRight 2010-2013 All Right Reserved szmaibo.com
        電話: 傳真: 地址:中國·廣東省深圳市福田區南園街道金寶閣
        訪問量:949366 粵ICP備1307118號 [后臺管理]